檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "Dong-Hau Kuo".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="柯文政"
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…
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為了促使LED元件達到更高的發光強度與使用壽命，同時避免電流堆積造成的高溫與光電性質劣化，多年來研究團體持續找尋適當的LED導電層。本研究欲在氮化鎵LED基板上製備具備熱穩定性的n型超奈米晶鑽石薄膜…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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類鑽碳膜（Diamond-like carbon, DLC）具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中，使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…
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目前矽晶太陽能電池仍為市場主流，其中鈍化射極接觸(passivated emitter rear cell, PERC)太陽能電池，其製程簡單且能有效提升光電轉換效率，逐漸成為廠商發展高效率太陽能電…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料，由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上，面臨的兩大瓶…
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層（AlN BL），可以在少層石墨烯（FLG）/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的低溫AlN…